主要规格及技术指标

整体高不超过2.4米，宽不超过2米。主溅射腔体为矩形结构（约500mm x 500mm x 700mm），不锈钢材质。
真空系统：极限真空：≤ 4.0 × 10⁻⁵ Pa。抽气系统：德国Pfeiffer Hipace700分子泵（抽速650 L/s） + 美国Edwards nXDS10i涡旋干泵（无油）。恢复真空时间：30分钟内可达 ≤ 1.0 × 10⁻³ Pa。真空测量：瑞士Inficon全量程真空计和薄膜真空计（用于工艺气压精确控制）。工艺气体：2路独立气路，采用美国MKS质量流量控制器，可进行反应溅射和混气，气压自动控制。
溅射靶系统：靶枪数量：6个，环形分布。靶材尺寸：2英寸直径，适用于非磁性及磁性材料（如Ni、Co、Fe）。靶枪特色：具备45°折弯功能，可不破真空、程序自动调节溅射角度，精度0.1°。配有气动挡板防交叉污染。
电源配置：3台美国Ceres直流电源（1000W）及3台美国Ceres射频电源（1000W，13.56MHz）。
薄膜性能：沉积均匀性±2%（2英寸基片）。
离子源：配有霍尔离子源，用于离子束辅助沉积或样品表面清洗。
数据记录：系统自带≥1TB硬盘，以≥1Hz频率记录所有工艺参数（CVS/TXT格式）。

主要功能及特色

高通量薄膜制备：核心特色，旨在一次运行中在单个基片上制备具有连续梯度变化的材料组合。
共溅射法：通过程序调整6个靶枪的倾斜角度，使不同靶材的沉积速率在基片上形成自然空间梯度，实现成分连续变化。
连续掩膜法：配备3套可电动移动的掩膜板系统（X/Y/Z向可调），通过移动掩膜实现梯度样品库的制备。
样品密度：最高可达5000个/基片。
多功能溅射模式：支持直流溅射、射频溅射、反应溅射（配合离子源通入反应气体）。
具备配方化工艺流程，可编辑、存储和调用工艺配方。所有关键参数（功率、气压、温度、流量等）实时自动记录与比较，确保工艺稳定性和可重复性。

主要附件及配置

循环冷却水机：1台，为6路靶枪等提供冷却，水温5-30℃，精度±1℃，带水流/温度监测与报警。
空气压缩机：1台，用于驱动气动阀门和挡板。