电子筒分辨率1.3nm@1KV,0.9nm@15kV,最大束流400nA;离子镜筒分辨率2.5nm@30kV;最大束流100nA;TOF-SIMS元素探测器优于3ppm,纵向分辨率优于3nm。
具有超高的成像分辨率以及优异的分析性能,能够表征包括金属材料、磁性材料、不导电材料和电子束敏感材料等各种样品。
牛津EDS能谱仪,EBSD电子背散射衍射仪。